Компанию Samsung Electronics признали виновной в нарушении патента. Производителю придется заплатить штраф размером в $400 млн, пишет «».
Речь идет о патенте на технологию FinFet — транзисторе, который позволяет повысить производительность микрочипа, при этом снизив его энергопотребление.
Патент принадлежит бюро Корейского института передовых технологий (KAIST IP US). Согласно заявлению организации, производитель изначально «скептически отнесся к изобретению» и посчитал его незначительным.
После того, как на разработку обратил внимание Intel, Samsung тоже занялась этой технологией, что нарушило соглашение между Intel и KAIST.
Южнокорейская компания настаивает на том, что работала над созданием транзистора вместе с Корейским институтом и не могла нарушить права на изобретение.