На симпозиуме по сверхбольшим интегральным схемам, прошедшем недавно в Японии, компания IBM продемонстрировала прототип встраиваемой статической памяти с произвольным доступом (embedded SRAM), способной работать на частотах более 6 ГГц. Это примерно вдвое выше, чем частота самой быстродействующей памяти этого типа, выпускаемой сегодня. Напомним, она используется в качестве кэш-памяти процессоров.
Одна из проблем, возникающих при производстве встраиваемой памяти, заключается в том, что сложно добиться стабильности параметров – как следствие, память может работать неустойчиво, теряя записанную в нее информацию.
Известно несколько подходов, позволяющих справиться с этой проблемой. В частности, применяют так называемое динамическое питание, зависящее от выполняемых операций, или добавление транзисторов в стандартную ячейку SRAM, образованную шестью транзисторами.
Специалисты IBM использовали новаторский прием, основанный на применении особой схемы подачи управляющих сигналов при записи и чтении, устраняющей условия возникновения нестабильности.
Чип был изготовлен с применением 65-нм техпроцесса «кремний на изоляторе» (SOI).