Наблюдательный совет госкорпорации Роснано одобрил участие корпорации в проекте создания предприятия по производству арсенид галлиевых пластин, чипов и оптических компонентов на основе вертикально-излучающих лазеров. Основным продуктом проекта будут являться чипы и оптические компоненты на основе вертикально-излучающих лазеров для использования в оптических устройствах высокоскоростной передачи данных для локальных сетей, активных оптических кабелях, суперкомпьютерах, линиях связи перспективного стандарта USB 3.0 и 4.0.

Научную поддержку проекту в России будут осуществлять Физико-Технический Институт им. А.Ф. Иоффе (г. Санкт-Петербург), Санкт-петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН и Институт физики полупроводников СО РАН (г. Новосибирск).

По прогнозам аналитиков госкорпорации, к 2014 году мировой рынок оптических компонентов на основе вертикально-излучающих лазеров достигнет 1,4 млрд долларов, по сравнению с 300 млн долларов в 2008 году, за счет замещения медных линий связи более скоростными, компактными и помехоустойчивыми оптоволоконными системами.

Для реализации проекта Роснано совместно с разработчиком и владельцем технологий, компанией VI-Systems GmbH (Германия), и внешним финансовым соинвестором организуют в городе Санкт-Петербург совместное предприятие с уставным капиталом 600 млн рублей. Доля Роснано в проектной компании составит 45,01%, VI-Systems GmbH — 35%, доля соинвестора — 19,99%.

Дополнительно, при успешном выполнении задач первого этапа проекта, госкорпорация предоставит проектной компании заем на сумму до 500 млн рублей на приобретение эпитаксиального оборудования для расширения производства. Суммарные инвестиции в проект достигнут 1,1 млрд рублей. Запуск промышленного производства планируется на 2 квартал 2011 года, а выход на проектную мощность – в 2014 году, когда выручка создаваемой компании, согласно прогнозу Роснано, превысит 2,3 млрд. рублей.